參數(shù)資料
型號(hào): BYV29B-600
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Ultrafast power diode
中文描述: 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù): 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商: BYV29B-600
BYV29B_600
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Product data sheet
Rev. 2 — 14 September 2011
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NXP Semiconductors
BYV29B-600
Rectifier diode ultrafast
Fig 4.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
Fig 5.
Maximum reverse recovery time as a function
of rate of change of forward current.
Fig 6.
Reverse current as a function of rate of change
of forward current; typical values.
Fig 7.
Maximum reverse recovery charge as a
function of rate of change of forward current.
0
typ
max
V
F
(V)
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
8
16
24
36
I
F
(A)
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
003aaa450
10
10
2
10
3
trr
(ns)
I
F
= 10 A
I
F
= 1 A
10
10
2
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
-dI
F
/d
t
(A/μs)
003aaa448
1
10
10
2
-dI
F
/d
t
(A/μs)
I
F
= 1 A
I
F
= 10 A
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
10
1
10
-1
10
-2
I
rrm
(A)
003aaa449
Q
rr
(nC)
1
10
10
2
10
3
I
F
= 10 A
1
10
10
2
-dI
F
/d
t
(A/μs)
I
F
= 2 A
003aaa452
25 °C
150 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV29F-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29FB-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29FD-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29FX-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29G-600 Ultrafast power diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BYV29B-600 /T3 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
BYV29B-600,118 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
BYV29B-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):9A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
BYV29D-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):9A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
BYV29DB-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide