參數(shù)資料
型號： BYV29B-600
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Ultrafast power diode
中文描述： 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： BYV29B-600
BYV29B_600
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 14 September 2011
5 of 13
NXP Semiconductors
BYV29B-600
Rectifier diode ultrafast
6. Characteristics
Table 5.
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Static characteristics
V
F
forward voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
F
= 8 A
T
j
= 150
C;
Figure 4
T
j
= 25
C;
Figure 4
I
F
= 20 A
V
R
= V
RRM
T
j
= 100
C
T
j
= 25
C
-
-
-
0.9
1.05
1.3
1.03
1.25
1.45
V
V
V
I
R
reverse current
-
-
0.1
2
0.35
50
mA
A
Dynamic characteristics
C
d
diode capacitance
Q
rr
reverse recovery charge
f = 1 MHz; V
R
= 100 V;
Figure 8
I
F
= 2 A; V
R
30 V; dI
F
/dt = 20 A/
s;
Figure 7
I
F
= 1 A; V
R
30 V; dI
F
/dt = 100 A/
s;
Figure 5
I
F
= 10 A; V
R
30 V; dI
F
/dt = 50 A/
s
T
j
= 100
C;
Figure 6
I
F
= 10 A; dI
F
/dt = 10 A/
s
-
-
7
40
-
70
pF
nC
t
rr
reverse recovery time
-
50
60
ns
I
rrm
peak reverse recovery current
-
3
5.5
A
V
fr
forward recovery voltage
-
3.2
-
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV29F-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29FB-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29FD-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29FX-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29G-600 Ultrafast power diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BYV29B-600 /T3 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
BYV29B-600,118 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
BYV29B-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標準包裝:800
BYV29D-600PJ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標準包裝:2,500
BYV29DB-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide
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