| 型號(hào): | BYV29B-600 | 
| 廠商: | NXP SEMICONDUCTORS | 
| 元件分類: | 參考電壓二極管 | 
| 英文描述: | Ultrafast power diode | 
| 中文描述: | 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 
| 封裝: | PLASTIC, D2PAK-3 | 
| 文件頁數(shù): | 12/13頁 | 
| 文件大?。?/td> | 141K | 
| 代理商: | BYV29B-600 | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| BYV29F-600 | Enhanced ultrafast power diode | 
| BYV29FB-600 | Enhanced ultrafast power diode | 
| BYV29FD-600 | Enhanced ultrafast power diode | 
| BYV29FX-600 | Enhanced ultrafast power diode | 
| BYV29G-600 | Ultrafast power diode | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| BYV29B-600 /T3 | 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel | 
| BYV29B-600,118 | 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel | 
| BYV29B-600PJ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):9A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 | 
| BYV29D-600PJ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):9A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 | 
| BYV29DB-600 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide |