參數(shù)資料
型號： BYR29X-800
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Ultrafast power diode
中文描述： 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220
封裝： PLASTIC, TO-220F, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： BYR29X-800
BYR29X-800
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Product data sheet
Rev. 01 — 12 July 2010
6 of 12
NXP Semiconductors
BYR29X-800
Ultrafast power diode
Fig 5.
Forward current as a function of forward
voltage
Fig 6.
Recovered charge as a function of rate of
change of forward current
Fig 7.
Reverse recovery definitions; ramp recovery
Fig 8.
Reverse recovery time as a function of rate of
change of forward current at indicated
temperatures; maximum values
V
F
(V)
0
3
2
1
003aaa472
10
20
30
I
F
(A)
0
(1)
(2)
(3)
dI
F
/dt (A/
μ
s)
1
10
2
10
003aaa473
10
2
10
3
Q
r
(nC)
10
(1)
(2)
003aac562
t
rr
time
100 %
25 %
I
F
dl
F
dt
I
R
I
RM
Q
r
dI
F
/dt (A/
μ
s)
1
10
2
10
003aaa470
10
2
10
3
t
rr
(ns)
10
T
j
= 25
°
C
T
j
= 100
°
C
(1)
(2)
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PDF描述
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參數(shù)描述
BYR29X-800,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Ultrafast Recovery Diodes 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYR29X-800PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BYR30-25T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYR30-35T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES
BYR30-45T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES
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