- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385205 > BYR29X-800 (NXP SEMICONDUCTORS) Ultrafast power diode PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BYR29X-800 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Ultrafast power diode |
| 中文描述： | 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220F, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 255K |
| 代理商： | BYR29X-800 |
BYR29X-800
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 12 July 2010
3 of 12
NXP Semiconductors
BYR29X-800
Ultrafast power diode
4.
Limiting values
[1]
Neglecting switching and reverse current losses
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(AV)
Parameter
repetitive peak reverse voltage
crest working reverse voltage
reverse voltage
average forward current
Conditions
Min
-
-
-
-
Max
800
800
800
8
Unit
V
V
V
A
T
h
≤
136 °C; DC
square-wave pulse;
δ
= 0.5 ;
T
h
≤
73 °C;
see
Figure 1
; see
Figure 2
; see
Figure 3
square-wave pulse;
δ
= 0.5 ; t
p
= 25 μs;
T
h
≤
73 °C
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse;
T
j(init)
= 25 °C
t
p
= 8.3 ms; sine-wave pulse;
T
j(init)
= 25 °C
[1]
I
FRM
repetitive peak forward current
-
16
A
I
FSM
non-repetitive peak forward
current
-
60
A
-
66
A
T
stg
T
j
storage temperature
junction temperature
-40
-
150
150
°C
°C
Fig 1.
Forward power dissipation and permissible
heatsink temperature as a function of average
forward current; square waveform; maximum
values
Fig 2.
Forward power dissipation and permissible
heatsink temperature as a function of average
forward current; sinusoidal waveform;
maximum values
003aaa467
I
F(AV)
(A)
0
12
8
4
10
5
15
20
P
tot
(W)
0
(
°
C)
T
h(max)
40
67.5
95
122.5
150
δ
= 0.5
δ
= 1.0
δ
= 0.2
δ
= 0.1
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
V
o
= 1.26 V
R
s
= 0.03
Ω
I
F(AV)
(A)
0
8
6
2
4
003aaa468
5
10
15
P
tot
(W)
0
T
h(max)
(
°
C)
150
122.5
95
67.5
V
o
= 1.26 V
R
s
= 0.03
Ω
a = 1.57
a = 1.9
a = 2.2
a = 2.8
a = 4.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYS11-90 | Schottky Barrier Rectifier |
| BYS1190 | Schottky Barrier Rectifier |
| BYS12-90 | Schottky Barrier Rectifier |
| BYS1290 | Schottky Barrier Rectifier |
| BYS13-90 | ESD Safe ? High Voltage Power Schottky ? Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BYR29X-800,127 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Ultrafast Recovery Diodes 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BYR29X-800PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| BYR30-25T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES |
| BYR30-35T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES |
| BYR30-45T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。