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參數(shù)資料
| 型號： | BYR29X-800 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Ultrafast power diode |
| 中文描述： | 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220F, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 255K |
| 代理商： | BYR29X-800 |
BYR29X-800
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 12 July 2010
5 of 12
NXP Semiconductors
BYR29X-800
Ultrafast power diode
6.
Isolation characteristics
7.
Characteristics
Table 6.
Symbol
V
isol(RMS)
Isolation characteristics
Parameter
RMS isolation voltage
Conditions
50 Hz
≤
f
≤
60 Hz; RH
≤
65 %; from all
pins to external heatsink; sinusoidal
waveform; clean and dust free
f = 1 MHz ; from cathode to external
heatsink
Min
-
Typ
-
Max
2500
Unit
V
C
isol
isolation capacitance
-
10
-
pF
Table 7.
Symbol
Static characteristics
V
F
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
forward voltage
I
F
= 8 A; T
j
= 150 °C; see
Figure 5
I
F
= 20 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 5
I
F
= 8 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 5
V
R
= 800 V; T
j
= 25 °C
V
R
= 800 V; T
j
= 100 °C
-
-
-
-
-
1.07
1.75
-
1
0.1
1.5
1.95
1.7
10
0.2
V
V
V
μA
mA
I
R
reverse current
Dynamic characteristics
Q
r
recovered charge
I
F
= 2 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 20 A/s;
T
j
= 25 °C; see
Figure 6
; see
Figure 7
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
T
j
= 25 °C; see
Figure 8
; see
Figure 7
I
F
= 10 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 50 A/μs;
T
j
= 100 °C; see
Figure 9
; see
Figure 7
I
F
= 10 A; dI
F
/dt = 10 A/μs; T
j
= 25 °C;
see
Figure 10
-
150
200
nC
t
rr
reverse recovery time
-
60
75
ns
I
RM
peak reverse recovery
current
forward recovery
voltage
-
-
6
A
V
FR
-
5
-
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYS11-90 | Schottky Barrier Rectifier |
| BYS1190 | Schottky Barrier Rectifier |
| BYS12-90 | Schottky Barrier Rectifier |
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| BYS13-90 | ESD Safe ? High Voltage Power Schottky ? Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BYR29X-800,127 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Ultrafast Recovery Diodes 800V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BYR29X-800PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.7V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| BYR30-25T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES |
| BYR30-35T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES |
| BYR30-45T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY-DUAL DIODES |
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