參數(shù)資料
型號(hào)： BYQ30E-200
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
封裝： BYQ30E-200<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
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代理商： BYQ30E-200
BYQ30E-200
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Product data sheet
Rev. 4 — 1 September 2010
4 of 11
NXP Semiconductors
BYQ30E-200
Dual ultrafast power diode
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance
from junction to
mounting base
Conditions
with heatsink compound; both diodes
conducting; see
Figure 3
with heatsink compound; per diode;
see
Figure 3
Min
-
Typ
-
Max
2.5
Unit
K/W
-
-
3
K/W
R
th(j-a)
thermal resistance
from junction to
ambient
-
60
-
K/W
Fig 3.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse width
003aae840
10
1
10
2
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
3
t
p
(s)
10
6
1
10
10
1
10
2
10
5
10
3
10
4
per diode
both diodes
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