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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUW13AW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 15 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-247, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | BUW13AW |
1997 Aug 13
6
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW13W; BUW13AW
Fig.7 Base-emitter and collector-emitter saturation voltages as functions of collector current; typical values.
handbook, full pagewidth
VBEsat
VCEsat
(V)
0
10
1
MGB915
10
2
1
10
IC (A)
0.5
1.5
1.0
(1)
(2)
(3)
(4)
I
C
/I
B
= 5.
(1) V
BE
; T
j
= 25
°
C.
(2) V
BE
; T
j
= 100
°
C.
(3) V
CE
; T
j
= 100
°
C.
(4) V
CE
; T
j
= 25
°
C.
Fig.8 Base-emitter voltage as a function of base current; typical values.
handbook, full pagewidth
6
IB (A)
1.4
0.8
0
VBE
(V)
MGB912
1.2
1.0
4
2
1
5
3
(1)
(2)
(3)
T
j
= 25
°
C.
(1) I
C
= 15 A.
(2) I
C
= 10 A.
(3) I
C
= 5 A.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUW13W | Silicon diffused power transistors |
| BUW14 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUW19 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) |
| BUW86 | 200W mono bridge PWM amplifier with built-in step-up converter |
| BUW22AP | Basic signal processor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUW13F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BUW13W | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BUW14 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUW19 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) |
| BUW22 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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