參數(shù)資料
型號： BUK995-60A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 34A條（?。﹟的SOT - 263
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大小： 355K
代理商： BUK995-60A
Philips Semiconductors
BUK9907-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2002
8 of 15
9397 750 09139
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s
Fig 5.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 50 A
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ne77
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
2
4
6
8
10
V
DS
(V)
I
D
(A)
2.2
2.4
3
3.4
3.8
4.2
4.6
V
GS
= 5 V
6
10
2.8
3.2
3.6
4
4.4
03ne79
0
5
10
15
20
25
2
4
6
8
10
V
GS
(V)
R
DSon
(m
)
03ne78
6
8
10
12
14
16
0
50
100
150
200
250
300
I
D
(A)
R
DSon
(m
)
V
GS
= 3 V
3.2
3.4
3.6
3.8
4
5
10
03ne89
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (oC)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
----------------------------
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUL1102EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL118D BJT
BUL1203EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL128D-A TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9C07-65BIT,118 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-7，DPak（6 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500
BUK9C1R3-40EJ 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V D2PAK
BUK9C2R2-60EJ 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BUK9C2R2-60E/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
BUK9C3R8-80EJ 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
BUK9C5R3-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
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