參數(shù)資料
型號: BUK995-60A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 34A條(丁)|的SOT - 263
文件頁數(shù): 2/15頁
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代理商: BUK995-60A
Philips Semiconductors
BUK9907-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2002
2 of 15
9397 750 09139
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
5.
Quick reference data
Table 2:
Symbol Parameter
V
DSR(CL)
drain-source clamping voltage
I
D
drain current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
T
j
= 25
°
C; I
GS(CL)
=
2 mA; I
D
= 1 A
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°
C
Typ
50
-
-
-
5.8
6
5.2
658
Max
-
140
272
175
7
7.7
6.2
668
Unit
V
A
W
°
C
m
m
m
mV
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 5 V; I
D
= 50 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 4.5 V; I
D
= 50 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 10 V; I
D
= 50 A
T
j
= 25
°
C; I
F
= 250
μ
A
V
F
temperature sense diode forward
voltage
temperature sense diode temperature
coefficient
S
F
55
°
C < T
j
< 175
°
C; I
F
= 250
μ
A
1.54
1.68
mV/K
相關PDF資料
PDF描述
BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUL1102EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL118D BJT
BUL1203EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL128D-A TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9C07-65BIT,118 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-7,DPak(6 引線 + 接片) 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1,500
BUK9C1R3-40EJ 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V D2PAK
BUK9C2R2-60EJ 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BUK9C2R2-60E/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
BUK9C3R8-80EJ 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應商器件封裝:D2PAK-7 標準包裝:800
BUK9C5R3-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB 供應商器件封裝:D2PAK-7 標準包裝:800