參數(shù)資料
型號： BUK995-60A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 34A條（丁）|的SOT - 263
文件頁數(shù)： 5/15頁
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代理商： BUK995-60A
Philips Semiconductors
BUK9907-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2002
5 of 15
9397 750 09139
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol
R
th(j-a)
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting
base
Conditions
vertical in still air
Figure 4
Min
-
-
Typ
-
-
Max
60
0.55
Unit
K/W
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ne76
Single Shot
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
δ
= 0.5
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUL1102EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL118D BJT
BUL1203EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL128D-A TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9C07-65BIT,118 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-7，DPak（6 引線 + 接片） 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500
BUK9C1R3-40EJ 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V D2PAK
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BUK9C5R3-100EJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800
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