參數(shù)資料
型號： BUK9840-56
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標(biāo)）場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標(biāo)）晶體管邏輯電平場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/9頁
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代理商： BUK9840-56
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9840-55
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 5 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
4
3.6
10
5
ID/A
VGS/V =
5
10
15
20
25
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
ID/A
gfs/S
0
5
10
15
20
25
20
30
40
50
60
70
80RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
ID/A
5
4
3.6
3.4
3.2
3
BUK98XX-55
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
Tmb / degC
Rds(on) normalised to 25degC
a
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
ID/A
VGS/V
Tj/C =
150
25
BUK98xx-55
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
January 1998
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET
BUK993-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263
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BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUL1102EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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