參數(shù)資料
型號： BUK9840-56
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標）場效應晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標）晶體管邏輯電平場效應管）
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BUK9840-56
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9840-55
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-sp
R
th j-amb
PARAMETER
From junction to solder point
From junction to ambient
CONDITIONS
Mounted on any PCB
Mounted on PCB of Fig.18
TYP.
12
-
MAX.
15
70
UNIT
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 0.25 mA
MIN.
55
50
1.0
0.6
-
-
-
-
-
10
-
-
TYP.
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
-
-
30
-
MAX.
-
-
2.0
-
2.3
10
100
1
5
-
40
74
UNIT
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
m
m
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
T
j
= 150C
T
j
= -55C
I
DSS
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 150C
I
GSS
Gate source leakage current
V
GS
=
±
5 V
T
j
= 150C
±
V
(BR)GSS
R
DS(ON)
Gate source breakdown voltage I
G
=
±
1 mA
Drain-source on-state
resistance
V
GS
= 5 V; I
D
= 5 A
T
j
= 150C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
g
fs
Forward transconductance
C
iss
Input capacitance
C
oss
Output capacitance
C
rss
Feedback capacitance
t
d on
Turn-on delay time
t
r
Turn-on rise time
t
d off
Turn-off delay time
t
f
Turn-off fall time
CONDITIONS
V
DS
= 25 V; I
D
= 5 A; T
j
= 25C
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
MIN.
11
-
-
-
TYP.
19
1050
205
110
MAX.
-
1400
245
150
UNIT
S
pF
pF
pF
V
DD
= 30 V; I
D
= 9 A;
V
GS
= 5 V; R
G
= 10
;
-
-
-
-
17
65
70
70
25
100
105
105
ns
ns
ns
ns
T
j
= 25C
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= -55 to 175C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
sp
= 25C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
10.7
UNIT
A
T
sp
= 25C
I
F
= 5 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
40
1.1
-
-
A
V
ns
μ
C
0.85
45
.3
January 1998
2
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
BUK9907-40ATC TrenchPLUS logic level FET
BUK993-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263
BUK995-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
BUK9L06-55B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUL1102EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9875-100A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 7A SOT223
BUK9875-100A T/R 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9875-100A,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9875-100A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1
BUK9875-100A115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*