參數(shù)資料
型號： BUK9775-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220F
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 11A條（?。﹟至220F
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： BUK9775-55A
Philips Semiconductors
BUK9735-55A
TrenchMOS logic level FET
Product specification
Rev. 01 — 15 February 2001
7 of 13
9397 750 07999
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
Tj (oC)
180
max
typ
min
VGS(th)
(V)
03aa36
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
max
typ
min
ID
(A)
VGS (V)
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
0
5
10
15
20
25
gfs
0
10
20
30
40
ID (A)
03na95
03na98
0
500
1000
1500
2000
2500
10-2
10-1
1
10
102
VDS (V)
C (pF)
Ciss
Coss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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