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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9675-55 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| 中文描述： | 19.7 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | BUK9675-55 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9675-55
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 10 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
30
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
1
10
100
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
DC
ID/A
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0E-06
0.0001
0.01
1
100
0.01
0.1
1
10Zth/ (K/W)
t/s
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
April 1998
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9735-55A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220F |
| BUK9775-55A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220F |
| BUK9775-56 | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| BUK9840-56 | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| BUK9907-40ATC | TrenchPLUS logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK9675-55A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET |
| BUK9675-55A /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9675-55A,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9675-55A/T3 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUK9675-55T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 19.7A I(D) | SOT-404 |
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