參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9509-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/14頁(yè)
文件大?。?/td> 313K
代理商： BUK9509-55A
Philips Semiconductors
BUK95/9609-55A
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 21 February 2002
8 of 14
9397 750 09229
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03nh62
0
40
80
120
0
1
2
3
4
VGS (V)
ID
(A)
175
°
C
Tj = 25
°
C
handbook, halfpage
(V)
0
20
40
60
0
4
3
2
1
03nh60
QG (nC)
VDD = 14 V
44 V
03nh59
0
25
50
75
100
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
175
°
C
Tj = 25
°
C
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PDF描述
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