參數(shù)資料
型號： BUK9509-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大小： 313K
代理商： BUK9509-55A
Philips Semiconductors
BUK95/9609-55A
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 21 February 2002
7 of 14
9397 750 09229
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
max
03aa36
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
VGS (V)
min
typ
max
03nh61
0
25
50
75
100
0
20
40
60
ID (A)
gfs
(S)
03nh66
0
3000
6000
9000
10-2
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
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