參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9508-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 55 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/14頁(yè)
文件大?。?/td> 328K
代理商： BUK9508-55A
Philips Semiconductors
BUK95/9608-55A
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 6 May 2002
8 of 14
9397 750 09573
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03ni45
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
VGS (V)
ID
(A)
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
03ni43
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 14 V
VDD = 44 V
03ni42
0
20
40
60
80
100
IS
(A)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUK9508-55B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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