參數(shù)資料
型號： BUK9508-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 55 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大小： 328K
代理商： BUK9508-55A
Philips Semiconductors
BUK95/9608-55A
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 6 May 2002
3 of 14
9397 750 09573
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03na19
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb
(°
C)
Pder
(%)
03ni52
0
50
100
150
25
50
75
100
125
150
175
Tmb (oC)
200
ID
(A)
Capped at 75 A due to package
P
der
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
03ni50
1
10
10
2
10
3
10
-1
1
10
10
2
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
Limit RDSon = VDS/ID
1 ms
tp = 10 μs
100 μs
Capped at 75 A due to package
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUK9508-55B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BUK9509-40B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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