參數(shù)資料
型號： BUK76150-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 11A條（丁）|對263AB
文件頁數(shù)： 3/15頁
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代理商： BUK76150-55A
Philips Semiconductors
BUK75150-55A; BUK76150-55A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 01 — 10 November 2000
3 of 15
9397 750 07647
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03na19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
Tmb (oC)
200
Pder (%)
03aa24
0
20
40
60
80
100
120
Ider
(%)
0
25
50
75
100
125
150
Tmb (oC)
175
200
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03nb94
10-1
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
D.C.
100 ms
10 ms
RDSon = VDS/ ID
1 ms
tp = 10 us
100 us
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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參數(shù)描述
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