參數(shù)資料
型號： BUK663R5-55C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 55 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： BUK663R5-55C
BUK663R5-55C
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Product data sheet
Rev. 2 — 23 December 2010
8 of 14
NXP Semiconductors
BUK663R5-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 11. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
Fig 12. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 13. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae542
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max @1mA
typ @1mA
min @2.5mA
003aae392
0
4
8
12
16
0
25
50
75
100
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
8.0
6.0
10
3.6
4.5
3.8
V
GS
(V) =
5.0
4.0
003aad803
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK663R7-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK664R4-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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BUK664R8-75C N-channel TrenchMOS FET
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參數(shù)描述
BUK663R5-55C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK663R7-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):3.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
BUK663R7-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK664R4-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V97ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,97A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
BUK664R4-55C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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