參數(shù)資料
型號： BUK663R5-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 30 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： BUK663R5-30C
BUK663R5-30C
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Product data sheet
Rev. 02 — 16 November 2010
9 of 14
NXP Semiconductors
BUK663R5-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 13. Gate charge waveform definitions
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 16. Source current as a function of source-drain
voltage; typical values
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae311
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 14V
24V
003aae309
10
2
10
3
10
4
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
003aae313
0
20
40
60
80
100
I
S
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
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PDF描述
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BUK663R5-55C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK663R7-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):3.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
BUK663R7-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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