參數(shù)資料
型號： BUK663R2-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 40 V, 0.0057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 374K
代理商： BUK663R2-40C
BUK663R2-40C
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Product data sheet
Rev. 2 — 14 October 2010
5 of 14
NXP Semiconductors
BUK663R2-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
Thermal characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
R
th(j-mb)
thermal resistance from
junction to mounting base
see
Figure 4
-
-
0.74
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae330
10
3
10
2
10
1
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
δ
= 0.5
0.2
0.02
0.1
0.05
single pulse
10
6
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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BUK663R5-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
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BUK663R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK663R5-55C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,120A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):2.86mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
BUK663R5-55C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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