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參數(shù)資料
| 型號： | BUK654R8-40C |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| 中文描述： | 100 A, 40 V, 0.0079 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 194K |
| 代理商： | BUK654R8-40C |
BUK654R8-40C
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 12 October 2010
9 of 14
NXP Semiconductors
BUK654R8-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 13. Gate charge waveform definitions
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 16. Source current as a function of source-drain
voltage; typical values
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae324
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 32 V
14 V
003aae321
10
2
10
3
10
4
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
003aae325
0
20
40
60
80
100
I
S
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK655R0-75C | N-channel TrenchMOS FET |
| BUK6607-55C | N-channel TrenchMOS logic and standard level FET |
| BUK6607-75C | N-channel TrenchMOS FET |
| BUK6610-75C | N-channel TrenchMOS FET |
| BUK661R6-30C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK654R8-40C,127 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK655-450B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK655-500A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK655-500B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | TO-220AB |
| BUK655-500C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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