參數(shù)資料
型號： BUK654R8-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 40 V, 0.0079 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/14頁
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代理商： BUK654R8-40C
BUK654R8-40C
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Product data sheet
Rev. 03 — 12 October 2010
8 of 14
NXP Semiconductors
BUK654R8-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 11. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 12. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aad805
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae346
0
5
10
15
20
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
10.0
6.0
4.5
V
GS
(V) = 3.8 V
5.0
4.0
003aad793
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK655R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6607-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6607-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6610-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK661R6-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
BUK654R8-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK655-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK655-500A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK655-500B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | TO-220AB
BUK655-500C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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