參數(shù)資料
型號： BUK654R8-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 40 V, 0.0079 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/14頁
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代理商： BUK654R8-40C
BUK654R8-40C
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Product data sheet
Rev. 03 — 12 October 2010
4 of 14
NXP Semiconductors
BUK654R8-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 1.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
Fig 2.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
003aad074
0
50
100
150
200
I
D
(A)
0
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100
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mb
(
°
C)
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(
°
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10
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I
D
(A)
Limit R
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DS
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D
DC
100 ms
10 ms
1 ms
100
μ
s
t
p
=10
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK655R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6607-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6607-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6610-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK661R6-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK654R8-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK655-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK655-500A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK655-500B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | TO-220AB
BUK655-500C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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