參數(shù)資料
型號(hào)： BUK653R5-55C
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： N溝道 TrenchMOS 中間級(jí)場(chǎng)效應(yīng)管
封裝： BUK653R5-55C<SOT78A (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大?。?/td> 364K
代理商： BUK653R5-55C
BUK653R5-55C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 27 October 2010
5 of 14
NXP Semiconductors
BUK653R5-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to mounting base
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
0.57
Unit
K/W
R
th(j-a)
vertical in free air
-
60
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae387
single shot
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
3
10
2
10
1
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
(K/W)
10
6
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
Z
th(j-mb)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK653R7-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK654R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK654R6-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK654R8-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK655R0-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK653R5-55C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK653R7-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V100ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,100A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,100A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK653R7-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK654R0-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):3.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
BUK654R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*