參數(shù)資料
型號： BUK653R5-55C
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： N溝道 TrenchMOS 中間級場效應(yīng)管
封裝： BUK653R5-55C<SOT78A (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大小： 364K
代理商： BUK653R5-55C
BUK653R5-55C
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 27 October 2010
9 of 14
NXP Semiconductors
BUK653R5-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 13. Gate charge waveform definitions
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 16. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae393
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 14 V
V
DS
= 40 V
003aae394
10
2
10
3
10
4
10
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
10
5
003aae397
0
20
40
60
80
100
I
S
(A)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK653R7-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK654R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK654R6-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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BUK655R0-75C N-channel TrenchMOS FET
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參數(shù)描述
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BUK653R7-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V100ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,100A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,100A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK653R7-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK654R0-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,120A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):3.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
BUK654R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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