參數(shù)資料
型號(hào)： BUK6211-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 74 A, 75 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
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代理商： BUK6211-75C
BUK6211-75C
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Product data sheet
Rev. 02 — 28 September 2010
4 of 15
NXP Semiconductors
BUK6211-75C
N-channel TrenchMOS FET
Fig 1.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature
Fig 2.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
003aae455
0
20
40
60
80
0
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T
mb
(
°
C)
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(A)
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mb
(
°
C)
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der
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V
DS
(V)
I
D
(A)
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
DC
100 ms
10 ms
1 ms
100
μ
s
t
p
=10
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6212-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6213-30A N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6213-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6215-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6217-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6211-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 74A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6212-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V41ASOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,41A,SOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,41A,SOT428; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK6212-40C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6212-40C118 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BUK6213-30A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS Intermediate level FET
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