參數(shù)資料
型號： BUK582-100A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Logic level FET
中文描述： 1.7 A, 100 V, 0.31 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： BUK582-100A
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
Logic level FET
BUK582-100A
PRINTED CIRCUIT BOARD
Dimensions in mm.
Fig.17. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
January 1998
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK582-60A PowerMOS transistor Logic level FET
BUK583-60A PowerMOS transistor Logic level FET
BUK627-400A N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-400B N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-450B N-Channel Enhancement MOSFET
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參數(shù)描述
BUK582-100AT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | SOT-223
BUK582-60A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BUK583-60A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET
BUK6207-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V81ASOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,81A,SOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,81A,SOT428; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK6207-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 81A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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