參數(shù)資料
型號(hào)： BUK582-100A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Logic level FET
中文描述： 1.7 A, 100 V, 0.31 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 55K
代理商： BUK582-100A
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
Logic level FET
BUK582-100A
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 1.7 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
amb
); conditions: I
D
= 1.7 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
10
QG / nC
VGS / V
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
80
BUK582-100A
VDS/ V = 20
15
5
20
40
60
80
Tamb/ C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
Normalised Avalanche Energy
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
VSDS/ V
2
IF/ A
BUK582-100A
7
6
5
4
3
2
1
0
Tj/ C = 150
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
January 1998
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK582-60A PowerMOS transistor Logic level FET
BUK583-60A PowerMOS transistor Logic level FET
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參數(shù)描述
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BUK583-60A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET
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BUK6207-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 81A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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