參數(shù)資料
型號(hào): BUK107-50DS
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPEFT)
中文描述: 0.7 A, 50 V, 0.175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商: BUK107-50DS
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK107-50DS
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.18. Soldering pattern for surface mounting.
PRINTED CIRCUIT BOARD
Dimensions in mm.
Fig.19. PCB for thermal resistance and power rating.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick),
copper laminate (35
μ
m thick).
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
March 1997
7
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK108-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET)
BUK108-50GL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
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參數(shù)描述
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BUK107-50GL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK108-50DL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK108-50DL /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK108-50DL,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube