參數(shù)資料
型號： BUK107-50DS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPEFT)
中文描述： 0.7 A, 50 V, 0.175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 75K
代理商： BUK107-50DS
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK107-50DS
Fig.14. Test circuit for resistive load switching times.
Select R
I
to give I
I
= 1.5 mA, ie 3.3 k
approx.
Fig.15. Typical switching waveforms, resistive load .
R
L
= 50
; adjust V
DD
to obtain I
D
= 250 mA; T
j
= 25C
Fig.16. Typical drain source leakage current
I
DSS
= f(T
j
); conditions: V
DS
= 40 V; V
IS
= 0 V.
VDD
D.U.T.
0V
D
S
I
TOPFET
P
RL
VDS
measure
RI
10 kO
BC337
VIS
-50
50
150
Tj / C
IDSS
BUK107-50DS
10 uA
1 uA
100 nA
10 nA
100
0
-10
10
30
50
70
90
time / us
VIS & VDS / V
BUK107-50DS
15
10
5
0
VIS
VDS
Fig.17. Transient thermal impedance, TOPFET mounted on PCB of fig 19.
Z
th j-amb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1E-07
1E-05
1E-03
1E-01
1E+01
1E+03
t / s
Zth j-amb / (K/W)
1E+02
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
0
BUK107-50DS
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
D =
March 1997
6
Rev 1.200
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PDF描述
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BUK108-50DL,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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