- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369562 > BUK106-50SP (NXP SEMICONDUCTORS) PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BUK106-50SP |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 外設(shè)及接口 |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| 中文描述： | 160 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PZFM5 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-263-01, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | BUK106-50SP |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK106-50L/S
BUK106-50LP/SP
Fig.28. Typical resistive load switching waveforms
R
I
= R
IS
= 50
; R
L
= 10
; V
DD
= 15 V; T
j
= 25 C
Fig.29. External input resistances R
and R
IS
,
generator voltage V
II
and input voltage V
IS
.
Fig.30. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
IS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.31. Typical off-state leakage current.
I
DSR
= f(T
j
); Conditions: V
DS
= 40 V; R
IS
= 100
.
Fig.32. Normalised protection supply current.
I
PS
/I
PS
25 C = f(T
j
); V
PS
= V
PSN
0
1
2
Time / us
VIS, VDS / V
BUK106-50L/S
15
10
5
0
VDS
VIS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tj / C
Idsr
1 mA
100 uA
10 uA
1 uA
100 nA
typ.
D
S
I
TOPFET
P
F
P
VII
RI
RIS
VIS
-60
-20
20
60
Tj / C
100
140
180
Ips normalised to 25 C
1.5
1
0.5
0
20
40
VDS / V
Capacitance / pF
BUK106-50L/S
10,000
1000
100
10
30
50
Ciss
Coss
Crss
February 1993
11
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK107-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| BUK107-50DS | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPEFT) |
| BUK108-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| BUK108-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應管邏輯電平TOPFET) |
| BUK108-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK107-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK107-50DL T/R | 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK107-50DL,115 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK107-50DLT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
| BUK107-50DS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。