參數(shù)資料
型號： BUJ303B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ303B<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 131K
代理商： BUJ303B
NXP
Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ303B
Fig.13. Test Circuit for reverse
bias safe operating
area.
V
cl
≤
1000V; V
cc
= 150V; V
BB
= -5V; L
B
= 1
μ
H; L
c
=
200
μ
Fig.14. Reverse
bias safe operating area T
j
≤
T
jmax
Fig.15. Forward bias safe operating area. T
hs
≤
25 C
(1)
(2)
I
II
III
P
max and P
peak max lines.
Second breakdown limits.
Region of permissible DC operation.
Extension for repetitive pulse operation.
Extension during turn-on in single
transistor converters provided that
R
≤
100
and t
≤
0.6
μ
s.
Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of the
envelope.
NB:
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
1
10
102
103
10-2
10-1
1
10
102
VCE (V)
IC
(A)
I
II
DC
10ms
1ms
100us
10us
tp=
ICM max
IC max
Duty cycle = 0.01
(1)
(2)
III
0
2
4
6
8
10
12
0
200
400
600
800
1000
VCLAMP (V)
1200
IC
(A)
March 2002
5
Rev 1.000
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