參數(shù)資料
型號： BUJ303AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
中文描述： 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： BUJ303AD
BUJ303AD
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 2 September 2011
8 of 14
NXP Semiconductors
BUJ303AD
NPN power transistor
Fig 10. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 11. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 12. Test circuit for resistive load switching
Fig 13. Switching times waveforms for resistive load
003aag033
V
BEsat
(V)
I
C
(A)
10
-1
10
1
0.6
0.8
0.2
0.4
1.0
1.2
1.4
0
003aag034
I
C
(A)
10
-2
10
1
10
-1
10
10
2
h
FE
1
V
CE
= 5 V
1 V
001aab989
t
p
R
B
V
IM
0
R
L
DUT
V
CC
T
001aab990
I
C
I
B
10 %
10 %
90 %
90 %
t
on
t
off
t
s
t
f
t
t
I
Bon
I
Boff
I
Con
t
r
≤
30 ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ303AX NPN power transistor
BUJ303A NPN power transistor
BUJ303B NPN power transistor
BUJ403A NPN power transistor
BUJD103AD NPN power transistor with integrated diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ303AD,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303AX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 5A 500V TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 5A, 500V, TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 5A, 500V, TO220F; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:500V; Power Dissipation Pd:32W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:22; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUJ303AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303AX_11 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor Very high voltage capability Isolated package
BUJ303B 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*