參數(shù)資料
型號： BUJ303AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
中文描述： 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大小： 189K
代理商： BUJ303AD
BUJ303AD
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Product data sheet
Rev. 1 — 2 September 2011
7 of 14
NXP Semiconductors
BUJ303AD
NPN power transistor
Fig 6.
Test circuit for collector-emitter sustaining
voltage
Fig 7.
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage test waveform
Fig 8.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 9.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values
001aab987
horizontal
1
Ω
300
Ω
6 V
vertical
oscilloscope
50 V
100
Ω
to 200
Ω
30 Hz to 60 Hz
001aab988
V
CE
(V)
min
V
CEOsus
I
C
(mA)
10
100
250
0
003aag032
V
CEsat
(V)
I
C
(A)
10
-1
10
1
0.2
0.1
0.3
0.4
0.5
0
I
B
(A)
10
-2
10
1
10
-1
003aag031
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
V
CEsat
(V)
0
I
C
= 1 A
2 A 3 A
4 A
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