參數(shù)資料
型號： BUJ302AX
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ302AX<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<,;
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 522K
代理商： BUJ302AX
BUJ302AX
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 28 March 2011
9 of 13
NXP Semiconductors
BUJ302AX
NPN power transistor
8.
Package outline
Fig 15. Package outline SOT186A (TO-220F)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT186A
3-lead TO-220F
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; isolated heatsink mounted;
1 mounting hole; 3-lead TO-220 'full pack'
SOT186A
A
A1
Q
c
K
j
Notes
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled.
2. Both recesses are
2.5
×
0.8 max. depth
D
D1
L
L2
L1
b1
b2
e1
e
b
w
M
1
2
3
q
E
P
T
UNIT
D
b1
D1
e
q
Q
P
L
c
L2
max.
(1)
e1
A
5.08
3
mm
4.6
4.0
A1
2.9
2.5
b
0.9
0.7
1.1
0.9
b2
1.4
1.0
0.7
0.4
15.8
15.2
6.5
6.3
E
10.3
9.7
2.54
14.4
13.5
T
(2)
2.5
0.4
L1
3.30
2.79
j
2.7
1.7
K
0.6
0.4
2.6
2.3
3.0
2.6
w
3.2
3.0
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
02-04-09
06-02-14
mounting
base
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ302A NPN power transistor
BUJ303AD NPN power transistor
BUJ303AX NPN power transistor
BUJ303A NPN power transistor
BUJ303B NPN power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ302AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A_11 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor Low thermal resistance Fast switching
BUJ303A127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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