參數(shù)資料
型號： BUJ302AX
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ302AX<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<,;
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大小： 522K
代理商： BUJ302AX
BUJ302AX
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 28 March 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BUJ302AX
NPN power transistor
7.
Characteristics
Table 7.
Symbol
Static characteristics
I
CES
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
collector-emitter cut-off
current
collector-emitter cut-off
current
open-collector emitter-base
breakdown voltage
collector-emitter sustaining
voltage
collector-emitter saturation
voltage
V
BE
= 0 V; V
CE
= 1050 V; T
j
= 25 °C
-
0.2
10
μA
I
CEO
V
CE
= 400 V; I
B
= 0 A; T
h
= 25 °C
-
10
250
μA
V
(BR)EBO
I
B
= 1 mA; I
C
= 0 A; T
h
= 25 °C
15
19
-
V
V
CEOsus
I
B
= 0 A; I
C
= 10 mA; L
C
= 25 mH;
T
h
= 25 °C; see
Figure 6
; see
Figure 7
I
C
= 1 A; I
B
= 0.2 A; T
h
= 25 °C;
see
Figure 8
; see
Figure 9
I
C
= 3.5 A; I
B
= 1 A; T
h
= 25 °C;
see
Figure 8
; see
Figure 9
I
C
= 3.5 A; I
B
= 1 A; T
h
= 25 °C;
see
Figure 10
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V; T
h
= 25 °C;
see
Figure 11
I
C
= 0.8 A; V
CE
= 3 V; T
h
= 25 °C;
see
Figure 12
400
470
-
V
V
CEsat
-
0.15
0.5
V
-
0.6
1.5
V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
DC current gain
-
1.1
1.5
V
h
FE
48
66
100
25
42
50
Dynamic characteristics
t
s
t
f
storage time
fall time
I
C
= 2.5 A; I
Bon
= 0.5 A; I
Boff
= -0.5 A;
R
L
= 60
; V
BB
= -5 V; T
h
= 25 °C;
resistive load; t
p
= 300 μs;
see
Figure 13
; see
Figure 14
-
-
-
-
3.5
500
μs
ns
Fig 6.
Test circuit for collector-emitter sustaining
voltage
Fig 7.
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage test waveform
001aab987
horizontal
1
Ω
300
Ω
6 V
vertical
oscilloscope
50 V
100
Ω
to 200
Ω
30 Hz to 60 Hz
001aab988
V
CE
(V)
min
V
CEOsus
I
C
(mA)
10
100
250
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ302A NPN power transistor
BUJ303AD NPN power transistor
BUJ303AX NPN power transistor
BUJ303A NPN power transistor
BUJ303B NPN power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ302AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A_11 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor Low thermal resistance Fast switching
BUJ303A127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*