參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ302AX
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ302AX<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<,;
文件頁數(shù)： 3/13頁
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代理商： BUJ302AX
BUJ302AX
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 28 March 2011
3 of 13
NXP Semiconductors
BUJ302AX
NPN power transistor
Fig 1.
Reverse bias safe operating area
Fig 2.
Test circuit for reverse bias safe operating area
Fig 3.
Normalized total power dissipation as a function of heatsink temperature
003aag027
V
CEclamp
(V)
0
1200
800
400
4
6
2
8
10
I
C
(A)
0
001aab999
DUT
L
C
L
B
I
Bon
V
BB
V
CC
V
CL(CE)
probe point
03aa13
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
h
(
°
C)
P
der
(%)
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PDF描述
BUJ302A NPN power transistor
BUJ303AD NPN power transistor
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參數(shù)描述
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BUJ303A 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A_11 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor Low thermal resistance Fast switching
BUJ303A127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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