參數(shù)資料
型號： BUJ100LR
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
中文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
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代理商： BUJ100LR
BUJ100LR
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Product data sheet
Rev. 02 — 29 July 2010
8 of 12
NXP Semiconductors
BUJ100LR
NPN power transistor
7.
Package outline
Fig 12. Package outline SOT54 (TO-92)
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L
(1)
max.
2.5
b1
0.66
0.55
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54
TO-92
SC-43A
04-06-28
04-11-16
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
e1
e
1
2
3
相關PDF資料
PDF描述
BUJ100 NPN power transistor
BUJ103AD NPN power transistor
BUJ103AX NPN power transistor
BUJ103A Silicon diffused power transistor
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ100LR,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ100LR,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ100LR126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1 A 3-TO-9
BUJ101A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ101AU 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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