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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUJ100LR |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN power transistor |
| 中文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | BUJ100LR |
BUJ100LR
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 29 July 2010
2 of 12
NXP Semiconductors
BUJ100LR
NPN power transistor
2.
Pinning information
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2.
Pin
1
2
3
Pinning information
Symbol
Description
B
base
C
collector
E
emitter
Simplified outline
Graphic symbol
SOT54 (TO-92)
1
2
3
sym123
C
E
B
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
TO-92
Description
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
Version
SOT54
BUJ100LR
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
CESM
V
CBO
V
CEO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
V
EBO
Parameter
collector-emitter peak voltage
collector-base voltage
Conditions
V
BE
= 0 V
I
E
= 0 A
I
B
= 0 A
DC; see
Figure 2
Min
-
-
Max
700
700
Unit
V
V
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
base current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
emitter-base voltage
-
-
-
-
-
-
-65
-
-
400
1
2
0.5
1
2.1
150
150
9
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
DC
T
lead
≤
25 °C; see
Figure 1
I
C
= 0 A; I(Emitter) = 10 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUJ100 | NPN power transistor |
| BUJ103AD | NPN power transistor |
| BUJ103AX | NPN power transistor |
| BUJ103A | Silicon diffused power transistor |
| BUJ105AB | NPN power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUJ100LR,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ100LR,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ100LR126 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1 A 3-TO-9 |
| BUJ101A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUJ101AU | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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