參數(shù)資料
型號： BUH1215
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高電壓快速開關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： BUH1215
Derating Curve
Collector Emitter Saturation Voltage
Power Losses at 64 KHz
DC Current Gain
Base Emitter Saturation Voltage
Switching Time Inductive Load at 64 KHz
(see figure 2)
BUH1215
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
BUH150 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 400V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUH150/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor
BUH150G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 400V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUH2M20AP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUH313 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
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