參數(shù)資料
型號： BUH1215
廠商： 意法半導體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高電壓快速開關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/7頁
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代理商： BUH1215
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
0.63
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
V
CE
= 1500 V
V
CE
= 1500 V T
j
= 125
o
C
0.2
2
mA
mA
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Emitter-Base Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
V
EB
= 5 V
100
V
CEO(sus)
I
C
= 100 mA
700
V
V
EBO
I
E
= 10 mA
10
V
V
CE(sat)
I
C
= 12 A I
B
= 2.4 A
1.5
V
V
BE(sat)
I
C
= 12 A I
B
= 2.4 A
1.5
V
h
FE
I
C
= 12 A V
CE
= 5 V
I
C
= 12 A V
CE
= 5 V T
j
= 100
o
C
7
5
10
14
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 400 V I
C
= 12 A
I
B1
= 2 A I
B2
= -6 A
1.5
110
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 12 A f = 31250 Hz
I
B1
= 2 A I
B2
= -1.5 A
V
ceflyback
= 1050 sin
π
5 10
6
t V
4
220
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 6 A f = 64 KHz
I
B1
= 1 A V
beoff
= -2 A
V
ceflyback
= 1200 sin
π
5 10
6
t V
3.5
180
μ
s
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe Operating Area
Thermal Impedance
BUH1215
2/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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