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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU508DF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | BU508DF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU508DF
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5.5 g
Fig.12. SOT199; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.2
5.8
3.5
21.5
max
15.7
min
1
2
3
2.1 max
1.2
1.0
0.4
2.0
0.7 max
45o
3.2
5.2 max
3.1
3.3
7.3
15.3 max
0.7
5.45
seating
plane
5.45
3.5 max
not tinned
M
July 1998
6
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU508DW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU508DX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU522 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 350V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
| BU522A | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
| BU536 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU508DF | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-199 |
| BU508DF/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
| BU508DF_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR |
| BU508DFI | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| BU508DR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
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