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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2722 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 擴(kuò)散硅功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | BU2722 |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2722AF
Fig.7. DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
Parameter T
(Low and high gain)
Fig.8. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.9. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f (I
B
); parameter I
C
Fig.10. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD 25C = f (T
hs
)
Fig.11. Transient thermal impedance.
Z
th
j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.12. Typical storage and fall time.
t
s
= f(I
B
); t
f
= f(I
B
); I
C
= 4.5 A; f = 64 kHz; T
hs
= 85 C
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Ths = 25 C
Ths = 85 C
VCE = 1 V
hFE
BU2720/22AF
IC / A
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
BU2722AF
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Tj = 85 C
Tj = 25 C
IC/IB = 8
IC/IB = 4
VCEsat / V
IC / A
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
10
1
0.1
0.01
0.001
BU2722AF
0
0.5
1
1.5
2
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Tj = 25 C
Tj = 85 C
IC = 5.5 A
4.5 A
VBEsat / V
IB / A
0
1
2
3
4
0.1
1
10
IB / A
ts, tf / us
BU2722AF
September 1997
4
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2722AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DX | TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
| BU2725DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2725DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BU2722AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2722DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
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