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參數(shù)資料
| 型號： | BU2722 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 擴散硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | BU2722 |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2722AF
Fig.1. Test circuit for V
CEOsust
.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEOsust
.
Fig.3. Switching times waveforms (64 kHz).
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit.
Fig.6. DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
Parameter T
(Low and high gain)
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
100R
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
100
200
250
0
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
CE
ICsat
B
16 us
6.5 us
5 us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IC
IB
BU2720/22AF
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Ths = 25 C
Ths = 85 C
VCE = 5 V
hFE
IC / A
September 1997
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2722AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DX | TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
| BU2725DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2725DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2722AF | 制造商:JMNIC 制造商全稱:Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 功能描述:Silicon Power Transistors |
| BU2722AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2722DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
| BU2725 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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