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參數(shù)資料
| 型號： | BU2522AW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | BU2522AW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2522AW
Fig.15. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
Second-breakdown limits independant of temperature.
Fig.16. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
BU2520A
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
VCE / V
ICM
ICDC
Ptot
100 us
1 ms
10 ms
DC
30 us
tp =
= 0.01
BU2522AF
0
30
20
10
0
500
1000
1500
VCE / V
IC / A
September 1997
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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