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參數(shù)資料
| 型號： | BU2522AW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | BU2522AW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2522AW
Fig.3. Switching times waveforms (64 kHz).
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit
Fig.6. Test Circuit RBSOA. V
= 140 V; -V
BB
= 4 V;
L
C
= 100 - 400
μ
H; V
≤
1500 V; L
= 3
H;
C
FB
= 1 - 2.2 nF; I
B
(end) = 1.6 - 2 A
Fig.7. Typical DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 5 V
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
CE
ICsat
B
16 us
6.5 us
5 us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IC
IB
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
0.01
0.1
1
10
100
IC / A
BU2522A
100
10
1
h
FE
Tj = 25 C
Tj = -40 C
Tj = 85 C
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
0.1
1
10
IC / A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
VBESAT / V
BU2522A
Tj = 25 C
Tj = 85 C
IC/IB =
3
5
September 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2522AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BUK454-200B | PowerMOS transistor |
| BU2522A | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2522 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2522DF | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2522AX | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BU2522DF | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2522DX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2523 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2523AF | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
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