參數(shù)資料
型號(hào): BTS650PE3230
元件分類: TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述: Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述: 單外設(shè)驅(qū)動(dòng)
文件頁(yè)數(shù): 15/16頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商: BTS650PE3230
Data Sheet BTS650P
Infineon Technologies AG
Page 15
2000-Mar-24
Figure 4a:
Overtemperature
Reset if
T
j
<
T
jt
I
IN
t
I
IS
V
OUT
T
j
Auto Restart
Figure 6a:
Undervoltage restart of charge pump,
overvoltage clamp
0
2
4
6
0
V
OUT
V
bIN(ucp)
V
IN
= 0
I
IN
= 0
V
ON(CL)
V
bIN(u)
V
bIN(u)
dynamic, short
Undervoltage
not below
VON(CL)
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PDF描述
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參數(shù)描述
BTS6510 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Highside High Current Power Switch
BTS6510B 功能描述:IC SWITCH PWR HISIDE TO220-7 SMD RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:PROFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BTS660P 功能描述:SWITCH HGH SIDE CURRNT TO220-7-3 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:PROFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BTS660-P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?9mOhm - Vbb(on) = 5V-58V - TO220-7-3?
BTS660P E3180A 功能描述:IC SWITCH PWR HISIDE TO220-7 SMD RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:PROFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)